UMD6N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UMD6N
Маркировка: D6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC88 SOT353
UMD6N Datasheet (PDF)
emd6 umd6n imd6a umd6n.pdf
EMD6 / UMD6N / IMD6A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD6 / UMD6N / IMD6A Features External dimensions (Units mm) 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT EMD6 or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3) (5) (2) automatic mounting machines. (6) (1) 1.2 1.6 3) Transistor elements are independent, elimin
umd6n imd6a d6 sot23-6sot363.pdf
Transistors General purpose (dual digital transistors) UMD6N / IMD6A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure A PNP a
umd6n.pdf
UMD6N Dual NPN+PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-363 DTA143T(PNP) and DTC143T(NPN) transistors are built-in a package. Transistor elements are independent, eliminating interference. A Mounting cost and area can be cut in half. E L B
umd6n.pdf
UMD6N DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ PNP) SOT-363 FEATURES DTA143T(PNP) and DTC143T(NPN) transistors are built-in a package. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut in half. 1 External circuit MARKING D6 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage V(BR)CBO 50 V Collector-em
Другие транзисторы... PDTA115EEF , PDTA115EK , UMD10N , PDTA115ES , PDTA115TK , PDTA115TS , UMD2N , UMD3N , C3198 , PDTA123EEF , UMD9N , UMG11N , PDTA123EK , PDTA123ES , UMG1N , UMG2N , UMG3N .
History: 2SD1836 | HEPS9149
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda







