Биполярный транзистор UMD6N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMD6N
Маркировка: D6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC88 SOT353
UMD6N Datasheet (PDF)
emd6 umd6n imd6a umd6n.pdf
EMD6 / UMD6N / IMD6A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD6 / UMD6N / IMD6A Features External dimensions (Units : mm) 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT EMD6or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3)(5) (2)automatic mounting machines. (6) (1)1.21.63) Transistor elements are independent, elimin
umd6n imd6a d6 sot23-6sot363.pdf
TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMD6N / IMD6AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Both the DTA143T chip andDTC143T chip in a UMT or SMTpackage.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureA PNP a
umd6n.pdf
UMD6N Dual NPN+PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-363 DTA143T(PNP) and DTC143T(NPN) transistors are built-in a package. Transistor elements are independent, eliminating interference. A Mounting cost and area can be cut in half. ELB
umd6n.pdf
UMD6N DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ PNP)SOT-363 FEATURES DTA143T(PNP) and DTC143T(NPN) transistors are built-in a package. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut in half. 1 External circuit MARKING:D6 Absolute maximum ratings(Ta=25) Parameter Symbol Limits UnitCollector-base voltage V(BR)CBO 50 VCollector-em
emd6fha umd6nfha.pdf
EMD6 / UMD6N / IMD6AEMD6FHA / UMD6NFHA / IMD6AFRADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6) (6) (5) (5) VCEO50V(4) (4) (1) (1) IC (2) (2) 100mA(3) (3) R14.7kWEMD6FHA UMD6NFHAEMD6 UMD6N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6
emd6fha umd6nfha imd6afra.pdf
EMD6 / UMD6N / IMD6AEMD6FHA / UMD6NFHA / IMD6AFRADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6) (6) (5) (5) VCEO50V(4) (4) (1) (1) IC (2) (2) 100mA(3) (3) R14.7kWEMD6FHA UMD6NFHAEMD6 UMD6N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050