UMD6N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMD6N  📄📄 

Маркировка: D6

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC88 SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMD6N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMD6N даташит

 ..1. Size:67K  rohm
 emd6 umd6n imd6a umd6n.pdf pdf_icon

UMD6N

EMD6 / UMD6N / IMD6A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD6 / UMD6N / IMD6A Features External dimensions (Units mm) 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT EMD6 or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3) (5) (2) automatic mounting machines. (6) (1) 1.2 1.6 3) Transistor elements are independent, elimin

 ..2. Size:66K  rohm
 umd6n imd6a d6 sot23-6sot363.pdf pdf_icon

UMD6N

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMD6N / IMD6A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure A PNP a

 ..3. Size:124K  secos
 umd6n.pdf pdf_icon

UMD6N

UMD6N Dual NPN+PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-363 DTA143T(PNP) and DTC143T(NPN) transistors are built-in a package. Transistor elements are independent, eliminating interference. A Mounting cost and area can be cut in half. E L B

 ..4. Size:404K  htsemi
 umd6n.pdf pdf_icon

UMD6N

UMD6N DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ PNP) SOT-363 FEATURES DTA143T(PNP) and DTC143T(NPN) transistors are built-in a package. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut in half. 1 External circuit MARKING D6 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage V(BR)CBO 50 V Collector-em

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTA115EEF, PDTA115EK, UMD10N, PDTA115ES, PDTA115TK, PDTA115TS, UMD2N, UMD3N, C3198, PDTA123EEF, UMD9N, UMG11N, PDTA123EK, PDTA123ES, UMG1N, UMG2N, UMG3N