Справочник транзисторов. UMG5N

 

Биполярный транзистор UMG5N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMG5N
   Маркировка: G5
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC88A SOT353
 

 Аналог (замена) для UMG5N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMG5N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  rohm
 umg5n fmg5a g5 sot353 sot23-5.pdf pdf_icon

UMG5N

(94S-781-A114Y

 ..2. Size:301K  htsemi
 umg5n.pdf pdf_icon

UMG5N

UMG5N dual digital transistors (PNP+ PNP)SOT-363 FEATURES Two DTA114Y chips in a package Marking: G5 1Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25) Symbol Parameter Value Units VCC Supply Voltage 50 V IC(MAX) Output Current 100 mA Vi Input Voltage -6 to +40 V PD Power Dissipation 150 mW TJ Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55~+150

Другие транзисторы... UMD9N , UMG11N , PDTA123EK , PDTA123ES , UMG1N , UMG2N , UMG3N , UMG4N , SS8050 , UMG6N , UMG8N , UMG9N , UMH10N , UMH11N , UMH1N , UMH2N , UMH3N .

 

 
Back to Top

 


 
.