Биполярный транзистор UMG6N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMG6N
Маркировка: G6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC88A SOT353
UMG6N Datasheet (PDF)
..1. Size:154K rohm
emg6 umg6n fmg6a.pdf
emg6 umg6n fmg6a.pdf
General purpose (dual digital transistors) EMG6 / UMG6N / FMG6A Features Dimensions (Unit : mm) 1) Two DTC144T chips in a EMT or UMT or SMT package. EMG61.2 Equivalent circuit 1.6EMG6 / UMG6N FMG6(3) (2) (1) (3) (4) (5)R1 R1 R1 R1ROHM : EMT5 Each lead has same dimensionsDTr2 DTr1 DTr2 DTr1(4) (5) (2) (1)R1=47k R1=47kUMG6N1.25 Absolute maximum ratings (T
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050