UMG6N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMG6N  📄📄 

Маркировка: G6

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMG6N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMG6N даташит

 ..1. Size:154K  rohm
 emg6 umg6n fmg6a.pdf pdf_icon

UMG6N

General purpose (dual digital transistors) EMG6 / UMG6N / FMG6A Features Dimensions (Unit mm) 1) Two DTC144T chips in a EMT or UMT or SMT package. EMG6 1.2 Equivalent circuit 1.6 EMG6 / UMG6N FMG6 (3) (2) (1) (3) (4) (5) R1 R1 R1 R1 ROHM EMT5 Each lead has same dimensions DTr2 DTr1 DTr2 DTr1 (4) (5) (2) (1) R1=47k R1=47k UMG6N 1.25 Absolute maximum ratings (T

 ..2. Size:41K  rohm
 umg6n fmg6a g6 sot353 sot23-5.pdf pdf_icon

UMG6N

(94S-777-A144T

Другие транзисторы: UMG11N, PDTA123EK, PDTA123ES, UMG1N, UMG2N, UMG3N, UMG4N, UMG5N, 2SC5198, UMG8N, UMG9N, UMH10N, UMH11N, UMH1N, UMH2N, UMH3N, UMH4N