Справочник транзисторов. UMH9N

 

Биполярный транзистор UMH9N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMH9N
   Маркировка: H9
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC88 SOT353
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

UMH9N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  rohm
 umh9n imh9a h9 sot23-6 sot363.pdf pdf_icon

UMH9N

TransistorsGeneral purpose (dual digital transistors)UMH9N / IMH9AFFeatures FExterna dimensions (Units: mm)1) Two DTC114Ys chips in a UMT orSMT package.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN s

 ..2. Size:67K  rohm
 emh9 umh9n imh9a umh9n.pdf pdf_icon

UMH9N

EMH9 / UMH9N / IMH9A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH9 / UMH9N / IMH9A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTC114Ys chips in a EMT or UMT or SMT EMH9package. (4) (3)2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (5) (2)(6) (1)1.2automatic mounting machines. 1.63) Transistor elements are independent, eliminating interferen

 ..3. Size:428K  secos
 umh9n.pdf pdf_icon

UMH9N

UMH9NNPN Multi-ChipElektronische BauelementeBuilt-in Resistors TransistorRoHS Compliant Product SOT-363o .055(1.40)8.047(1.20)0o .026TYP(0.65TYP) .021REF* Features(0.525)REF.053(1.35).096(2.45)* Mounting possible with 3automatic mounting .045(1.15).085(2.15)machines. * Transistor elements are independent, .018(0.46).010(0.26)eliminating interfer

 0.1. Size:1291K  rohm
 emh9fha umh9nfha.pdf pdf_icon

UMH9N

EMH9FHA / UMH9NFHA / IMH9AFRAEMH9 / UMH9N / IMH9ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCC50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.)100mA (3) (3) R110kWEMH9FHA UMH9NFHAEMH9 UMH9N R247kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SB669 | GI2716 | 2SC6099 | 2N6455 | MMSS8550-H | TD13005SMD | DDA143TU

 

 
Back to Top

 


 
.