Биполярный транзистор UMT2003 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: UMT2003
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам