UMX1N - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UMX1N
Маркировка: X1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SC88 SOT353
UMX1N - технические параметры
emx1 umx1n imx1 umx1n.pdf
EMX1 / UMX1N / IMX1 Transistors General purpose transistors (dual transistors) EMX1 / UMX1N / IMX1 Features External dimensions (Units mm) 1) Two 2SC2412K chips in a EMT or UMT or SMT EMX1 package. (4) (3) 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (5) (2) (6) (1) 1.2 automatic mounting machines. 1.6 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. Eac
emx1 umx1n imx1.pdf
EMX1 / UMX1N / IMX1 Datasheet General purpose transistor (dual transistors) lOutline l Parameter Tr1 and Tr2 SOT-563 SOT-363 VCEO 50V IC 150mA EMX1 UMX1N (EMT6) (UMT6) SOT-457 lFeatures l 1) Two 2SC2412K chips in a EMT, UMT or SMT package. IMX1 2) Mounting p
umx1n imx1 x1 sot23-6 sot363.pdf
Transistors General purpose transistor (dual transistors) UMX1N / IMX1 FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two 2SC2412K chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NP
umx1n.pdf
UMX1N Dual NPN General Purpose Transistors Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-363 Two 2SC2412K chips in a package. Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. A Transistor elements are independent, eliminating E L 6 5 4 interference. Mounting cost and area ca
Другие транзисторы... UMT3585 , UMT3N , UMW10N , UMW1N , UMW2N , UMW6N , UMW7N , UMW8N , C5198 , UMX2N , UMX3N , UMX4N , UMX5N , UMY1N , UMY3N , UMZ1N , UMZ2N .
History: UMW1N
History: UMW1N
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet








