Биполярный транзистор UMX1N Даташит. Аналоги
Наименование производителя: UMX1N
Маркировка: X1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SC88 SOT353
- подбор биполярного транзистора по параметрам
UMX1N Datasheet (PDF)
emx1 umx1n imx1 umx1n.pdf

EMX1 / UMX1N / IMX1TransistorsGeneral purpose transistors(dual transistors)EMX1 / UMX1N / IMX1 Features External dimensions (Units : mm)1) Two 2SC2412K chips in a EMT or UMT or SMTEMX1package.(4) (3)2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3(5) (2)(6) (1)1.2automatic mounting machines.1.63) Transistor elements are independent, eliminating interference.Eac
emx1 umx1n imx1.pdf

EMX1 / UMX1N / IMX1DatasheetGeneral purpose transistor (dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 SOT-563 SOT-363VCEO50VIC150mA EMX1 UMX1N(EMT6) (UMT6) SOT-457 lFeaturesl1) Two 2SC2412K chips in a EMT, UMT or SMT package. IMX12) Mounting p
umx1n imx1 x1 sot23-6 sot363.pdf

TransistorsGeneral purpose transistor (dual transistors)UMX1N / IMX1FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two 2SC2412K chips in a UMT orSMT package.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNP
umx1n.pdf

UMX1N Dual NPN General Purpose Transistors Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-363 Two 2SC2412K chips in a package. Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. A Transistor elements are independent, eliminating EL6 5 4interference. Mounting cost and area ca
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet