UMX5N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMX5N  📄📄 

Маркировка: X5

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SC88 SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMX5N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMX5N даташит

 ..1. Size:1298K  rohm
 emx5 umx5n imx5.pdf pdf_icon

UMX5N

High transition frequency (dual transistors) EMX5 / UMX5N / IMX5 Features Dimensions (Unit mm) 1) Two 2SC3838K chips in a EMT or UMT or SMT package. EMX6 2) High transition frequency. (fT=3.2GHz) 3) Low output capacitance. (Cob=0.9pF) Inner circuits EMX5 / UMX5N IMX5 (3) (2) (1) (4) (5) (6) ROHM EMT6 Each lead has same dimensions Tr2 Tr2 Tr1 SOT-563 Tr1 UMX5N

 ..2. Size:50K  rohm
 umx5n imx5 x5 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMX5N

(94S-404-C101) (94S-407-C

 ..3. Size:163K  diodes
 emx5 imx5 umx5n.pdf pdf_icon

UMX5N

High transition frequency (dual transistors) EMX5 / UMX5N / IMX5 Features Dimensions (Unit mm) 1) Two 2SC3838K chips in a EMT or UMT or SMT package. EMX6 2) High transition frequency. (fT=3.2GHz) 3) Low output capacitance. (Cob=0.9pF) Inner circuits EMX5 / UMX5N IMX5 (3) (2) (1) (4) (5) (6) ROHM EMT6 Each lead has same dimensions Tr2 Tr2 Tr1 Tr1 UMX5N (4) (5) (

Другие транзисторы: UMW2N, UMW6N, UMW7N, UMW8N, UMX1N, UMX2N, UMX3N, UMX4N, TIP122, UMY1N, UMY3N, UMZ1N, UMZ2N, UN1110Q, UN1110R, UN1110S, UN1111