Справочник транзисторов. UMZ1N

 

Биполярный транзистор UMZ1N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMZ1N
   Маркировка: Z1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SC88 SOT353
 

 Аналог (замена) для UMZ1N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMZ1N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2866K  rohm
emz1 umz1n imz1a.pdfpdf_icon

UMZ1N

EMZ1 / UMZ1N / IMZ1ADatasheetGeneral purpose transistor (dual transistors)lOutlinelParameter Value SOT-563 SOT-363VCEO50VIC150mA EMZ1 UMZ1N(EMT6) (UMT6) Parameter Value SOT-457 VCEO-50VIC-150mA IMZ1A(SMT6) lF

 ..2. Size:95K  rohm
emz1 umz1n imz1a umz1n.pdfpdf_icon

UMZ1N

EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A Transistors General purpose transistor (dual transistors) EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A Features External dimensions (Unit : mm) 1) Both a 2SA1037AK chip and 2SC2412K chip in a EMZ1EMT or UMT or SMT package. (4) (3)2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (5) (2)(6) (1)1.2automatic mounting machines. 1.63) Transistor elements are independent,

 ..3. Size:1132K  secos
umz1n.pdfpdf_icon

UMZ1N

UMZ1N 0.15 W, 150 mA, 60 V Silicon Epitaxial Planar Elektronische Bauelemente Power Management (Dual Transistors) RoHS Compliant Product SOT-363 A suffix of -C specifies halogen & lead-free AFEATURES EL 2SA1037AK and 2SC2412K are housed independently in a package. Transistor elements independent, eliminating interference. Mounting

 ..4. Size:1043K  jiangsu
umz1n.pdfpdf_icon

UMZ1N

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Power management Dual-transistors UMZ1NDUAL TRANSISTOR (NPN+PNP) SOT-363 DESCRIPTION Silicon epitaxial planar transistor FEATURES 2SA1037AK and 2SC2412K are housed independentlyin a package Transistor elements independent, eliminating interference Mounting cost and area can be cut in halfMARKING: Z1 Z1TR1 MAX

Другие транзисторы... UMW8N , UMX1N , UMX2N , UMX3N , UMX4N , UMX5N , UMY1N , UMY3N , 2SD718 , UMZ2N , UN1110Q , UN1110R , UN1110S , UN1111 , UN1112 , UN1113 , UN1114 .

History: 2SC2498 | DTC113ZUAFRA | TBC856 | DT600-550 | 40373

 

 
Back to Top

 


 
.