UN1121 - описание и поиск аналогов

 

UN1121 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: UN1121
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: M-A1

 Аналоги (замена) для UN1121

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UN1121 - технические параметры

 ..1. Size:142K  panasonic
 un1121 un1122 un1123 un1124 un112x un112y.pdf pdf_icon

UN1121

Transistors with built-in Resistor UNR1121/1122/1123/1124/112X/112Y (UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y) Silicon PNP epitaxial planer transistor Unit mm 2.5 0.1 For digital circuits 6.9 0.1 (1.0) (1.5) (1.5) Features R 0.9 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and R 0.7 reduction of the number of parts. M type package allowing easy automatic and manual ins

Другие транзисторы... UN1117S , UN1118 , UN1119 , UN111D , UN111E , UN111F , UN111H , UN111L , BC546 , UN1122 , UN1123 , UN1124 , UN112X , UN112Y , UN1210Q , UN1210R , UN1210S .

History: CFB1370 | UN111H

 

 
Back to Top

 


 
.