UN2123 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UN2123  📄📄 

Маркировка: 7C

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23 SC59

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UN2123

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UN2123 даташит

 ..1. Size:84K  panasonic
 un2121 un2122 un2123 un2124 un212x un212y.pdf pdf_icon

UN2123

Transistors with built-in Resistor UN2121/2122/2123/2124/212X/212Y Silicon PNP epitaxial planer transistor For digital circuits Unit mm +0.2 2.8 0.3 Features +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. 1 Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion

Другие транзисторы: UN211H, UN211M, UN211N, UN211T, UN211V, UN211Z, UN2121, UN2122, C945, UN2124, UN212X, UN212Y, UN2210Q, UN2210R, UN2210S, UN2211, UN2212