Биполярный транзистор UN412Y Даташит. Аналоги
Наименование производителя: UN412Y
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 3.1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.6 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.67
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO92S
- подбор биполярного транзистора по параметрам
UN412Y Datasheet (PDF)
un4121 un4122 un4123 un4124 un412x un412y.pdf

Transistors with built-in ResistorUN4121/4122/4123/4124/412X/412YSilicon PNP epitaxial planer transistorFor digital circuitsUnit: mm4.0 0.2FeaturesCosts can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts.New S type package, allowing supply with the radial taping.Resistance by Part Numbermarking(R1)(R2) 1 2 3UN4121 2.2k 2.2k
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB
History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92