2N539. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N539

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 28 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO10

 Аналоги (замена) для 2N539

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N539 даташит

 0.1. Size:91K  interfet
 2n5397 2n5398.pdf pdf_icon

2N539

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-20 B-20 01/99 2N5397, 2N5398 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Low-Noise Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power Gain Drain Source Voltage 25 V High Transconductance Continuous Forward Gate Current 10 mA Continuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer

Другие транзисторы: 2N5384, 2N5385, 2N5386, 2N5387, 2N5388, 2N5389, 2N538A, 2N538M, BC546, 2N5390, 2N5399, 2N539A, 2N54, 2N540, 2N5400, 2N5401, 2N5404