Справочник транзисторов. 2N539

 

Биполярный транзистор 2N539 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N539
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 28 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO10
 

 Аналог (замена) для 2N539

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N539 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:91K  interfet
 2n5397 2n5398.pdf pdf_icon

2N539

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-20B-20 01/992N5397, 2N5398N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Low-NoiseReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power GainDrain Source Voltage 25 V High TransconductanceContinuous Forward Gate Current 10 mAContinuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer

Другие транзисторы... 2N5384 , 2N5385 , 2N5386 , 2N5387 , 2N5388 , 2N5389 , 2N538A , 2N538M , 8050 , 2N5390 , 2N5399 , 2N539A , 2N54 , 2N540 , 2N5400 , 2N5401 , 2N5404 .

History: 2N5380 | ED1701N

 

 
Back to Top

 


 
.