2N539 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N539  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 34 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 55 V

Tensión emisor-base (Veb): 28 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.2 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO10

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2N539 datasheet

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2N539

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-20 B-20 01/99 2N5397, 2N5398 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Low-Noise Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power Gain Drain Source Voltage 25 V High Transconductance Continuous Forward Gate Current 10 mA Continuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer

Otros transistores... 2N5384, 2N5385, 2N5386, 2N5387, 2N5388, 2N5389, 2N538A, 2N538M, 9014, 2N5390, 2N5399, 2N539A, 2N54, 2N540, 2N5400, 2N5401, 2N5404