2N539 Todos los transistores

 

2N539 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N539
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 34 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
   Tensión emisor-base (Veb): 28 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO10

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N539

 

2N539 Datasheet (PDF)

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2N539

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-20 B-20 01/99 2N5397, 2N5398 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Low-Noise Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power Gain Drain Source Voltage 25 V High Transconductance Continuous Forward Gate Current 10 mA Continuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer

Otros transistores... 2N5384 , 2N5385 , 2N5386 , 2N5387 , 2N5388 , 2N5389 , 2N538A , 2N538M , BC546 , 2N5390 , 2N5399 , 2N539A , 2N54 , 2N540 , 2N5400 , 2N5401 , 2N5404 .

 

 
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