2N539 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N539
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 34 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
Tensión emisor-base (Veb): 28 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO10
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N539
2N539 Datasheet (PDF)
2n5397 2n5398.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-20B-20 01/992N5397, 2N5398N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Low-NoiseReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 25 V High Power GainDrain Source Voltage 25 V High TransconductanceContinuous Forward Gate Current 10 mAContinuous Device Power Dissipation 300 mW Mixer
Otros transistores... 2N5384 , 2N5385 , 2N5386 , 2N5387 , 2N5388 , 2N5389 , 2N538A , 2N538M , TIP42 , 2N5390 , 2N5399 , 2N539A , 2N54 , 2N540 , 2N5400 , 2N5401 , 2N5404 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050