BFR520 - описание и поиск аналогов

 

BFR520. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFR520

Маркировка: N28

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BFR520

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFR520 даташит

 ..1. Size:116K  philips
bfr520.pdfpdf_icon

BFR520

BFR520 NPN 9 GHz wideband transistor Rev. 03 1 September 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description The BFR520 is an NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT23 plastic package. 1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability. 1.3 Applications RF front end wideband applic

 ..2. Size:103K  philips
bfr520 cnv 2.pdfpdf_icon

BFR520

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFR520 NPN 9 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFR520 telephones (CT1, CT2, DECT, etc.), FEATURES radar detectors, pagers and satellite High power gain TV tuners (SATV) and repeater Low noise figu

 ..3. Size:203K  inchange semiconductor
bfr520.pdfpdf_icon

BFR520

isc Silicon NPN RF Transistor BFR520 DESCRIPTION High Power Gain High Current Gain Bandwidth Product Low Noise Figure Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for RF frontend in wideband applications in the GHz range,such as analog and digital cellular telephones, cordless. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 0.1. Size:109K  philips
bfr520t 2.pdfpdf_icon

BFR520

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 BFR520T NPN 9 GHz wideband transistor Product specification 2000 Apr 03 Supersedes data of 1999 Nov 02 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFR520T FEATURES DESCRIPTION High power gain Silicon NPN transistor encapsulated in a plastic SOT416 (SC-75) package. Low noise figure 3 fpage High tr

Другие транзисторы: BFG480W, BFM505, BFM520, BFQ131, BFQ151, BFQ166, BFQ256, BFQ256A, TIP122, BFR520T, BFS25A, BFS520, BFS540, BLS2731-10, BLS2731-110, BLS2731-20, BLS2731-50

 

 

 

 

↑ Back to Top
.