Биполярный транзистор BLT61 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLT61
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 14 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 7 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: SOT96-1
BLT61 Datasheet (PDF)
..1. Size:55K philips
blt61.pdf
blt61.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D315BLT61UHF power transistor1998 Jan 28Preliminary specificationSupersedes data of 1996 Feb 05Philips Semiconductors Preliminary specificationUHF power transistor BLT61FEATURES PINNING High efficiencyPIN DESCRIPTION High gain1, 8 base Internal pre-matched input2, 4, 5, 7 emitter Low supply voltage.3, 6 collecto
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050