BLT61 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLT61  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 14 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 7 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: SOT96-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLT61

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLT61 даташит

 ..1. Size:55K  philips
 blt61.pdf pdf_icon

BLT61

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D315 BLT61 UHF power transistor 1998 Jan 28 Preliminary specification Supersedes data of 1996 Feb 05 Philips Semiconductors Preliminary specification UHF power transistor BLT61 FEATURES PINNING High efficiency PIN DESCRIPTION High gain 1, 8 base Internal pre-matched input 2, 4, 5, 7 emitter Low supply voltage. 3, 6 collecto

Другие транзисторы: BLS2731-50, BLS3135-10, BLS3135-20, BLS3135-50, BLS3135-65, BLT13, BLT52, BLT53, 2SC2073, BLT70, BLT71-8, BLT81, BLT82, BLT94, BLU11-SL, BLU56, BLU86