Биполярный транзистор BLT81 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLT81
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 9.5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SOT223
BLT81 Datasheet (PDF)
..1. Size:81K philips
blt81.pdf
blt81.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLT81UHF power transistor1996 May 09Product specificationSupersedes data of November 1992Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLT81FEATURES SMD encapsulation Gold metallization ensures excellent reliability.handbook, halfpage4APPLICATIONSc Hand-held radio equipment in the 900 MHzcommunicatio
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050