BLT81 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BLT81
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 9.5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SOT223
BLT81 Datasheet (PDF)
blt81.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT81 UHF power transistor 1996 May 09 Product specification Supersedes data of November 1992 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT81 FEATURES SMD encapsulation Gold metallization ensures excellent reliability. handbook, halfpage 4 APPLICATIONS c Hand-held radio equipment in the 900 MHz communicatio
Другие транзисторы... BLS3135-50 , BLS3135-65 , BLT13 , BLT52 , BLT53 , BLT61 , BLT70 , BLT71-8 , A733 , BLT82 , BLT94 , BLU11-SL , BLU56 , BLU86 , BLV12 , BLV193 , BLV194 .
History: 2SA1576ART1 | PMBT3906MB | MUN2230LT2 | GT703D | 2SC3031 | RN1965CT | 4SDG110K
History: 2SA1576ART1 | PMBT3906MB | MUN2230LT2 | GT703D | 2SC3031 | RN1965CT | 4SDG110K
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики


