BLT81 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLT81  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 9.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLT81

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLT81 даташит

 ..1. Size:81K  philips
 blt81.pdf pdf_icon

BLT81

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT81 UHF power transistor 1996 May 09 Product specification Supersedes data of November 1992 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT81 FEATURES SMD encapsulation Gold metallization ensures excellent reliability. handbook, halfpage 4 APPLICATIONS c Hand-held radio equipment in the 900 MHz communicatio

Другие транзисторы: BLS3135-50, BLS3135-65, BLT13, BLT52, BLT53, BLT61, BLT70, BLT71-8, A733, BLT82, BLT94, BLU11-SL, BLU56, BLU86, BLV12, BLV193, BLV194