Справочник транзисторов. BU2515DF

 

Биполярный транзистор BU2515DF Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU2515DF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 13.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 13
   Корпус транзистора: SOT199
 

 Аналог (замена) для BU2515DF

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2515DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  philips
bu2515df 1.pdfpdf_icon

BU2515DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2515DF GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrated damper diode in a full plasticenvelope intended for use in horizontal deflection circuits of pc monitors.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emitter

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
bu2515df.pdfpdf_icon

BU2515DF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2515DFDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofPC monitors.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

 7.1. Size:217K  inchange semiconductor
bu2515dx.pdfpdf_icon

BU2515DF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2515DXDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofPC monitors.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

 8.1. Size:51K  philips
bu2515ax bu2515ax 1.pdfpdf_icon

BU2515DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2515AX GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use inhorizontal deflection circuits of pc monitors.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emitter voltage peak value VBE = 0

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SD1145 | 2SCR522EB | 2SC5012

 

 
Back to Top

 


 
.