BU2527DF - описание и поиск аналогов

 

BU2527DF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU2527DF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 13.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 145 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 11

Корпус транзистора: SOT199

 Аналоги (замена) для BU2527DF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2527DF даташит

 ..1. Size:62K  philips
bu2527df 1.pdfpdf_icon

BU2527DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2527DF GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors. Features improved RBSOA performance. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETE

 ..2. Size:82K  jmnic
bu2527df.pdfpdf_icon

BU2527DF

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors BU2527DF DESCRIPTION With TO-3PFa package High voltage High speed switching Built-in damper diode APPLICATIONS For use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CON

 ..3. Size:212K  inchange semiconductor
bu2527df.pdfpdf_icon

BU2527DF

isc Silicon NPN Power Transistor BU2527DF DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Ddamper Ddiode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vol

 7.1. Size:63K  philips
bu2527dx 1.pdfpdf_icon

BU2527DF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2527DX GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors. Features improved RBSOA performance. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETE

Другие транзисторы: BU2515DF, BU2522DF, BU2522DX, BU2523DF, BU2523DX, BU2525DF, BU2525DW, BU2525DX, NJW0281G, 2DA2018, 2DB1119S, 2DB1386Q, 2DB1386R, 2DB1424R, 2DB1689, 2DB1697, 2DB1713

 

 

 

 

↑ Back to Top
.