DPLS350Y - описание и поиск аналогов

 

DPLS350Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DPLS350Y

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для DPLS350Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DPLS350Y даташит

 ..1. Size:382K  diodes
dpls350y.pdfpdf_icon

DPLS350Y

DPLS350Y 50V PNP LOW SATURATION POWER TRANSISTOR IN SOT89 Features Mechanical Data BVCEO > -50V Case SOT89 IC = -3A High Continuous Collector Current Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound ICM up to -5A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 2W Power Dissipation Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Saturatio

 7.1. Size:134K  diodes
dpls350e.pdfpdf_icon

DPLS350Y

DPLS350E LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case SOT-223 Ideally Suited for Automated Assembly Processes Case Material Molded Plastic, "Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Ideal for Medium Power Switchi

 7.2. Size:1350K  kexin
dpls350e.pdfpdf_icon

DPLS350Y

SMD Type Transistors PNP Transistors DPLS350E (KPLS350E) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 Features 4 Collector Current Capability IC=-3A Collector Emitter Voltage VCEO=-50V Complementary to DNLS350E 1 2 3 COLLECTOR 2,4 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Base 1 2.Collector BASE 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector 3 EMITTER Absolute Maxim

 9.1. Size:158K  diodes
dpls315e.pdfpdf_icon

DPLS350Y

DPLS315E DPLS315E LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Epitaxial Planar Die Construction Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 70m at 3A High DC Current Gain hFE > 300 at IC = 2A Complementary NPN Type Available (DNLS412E) Ideally Suited for Automated Assembly Proces

Другие транзисторы: DN0150BLP4, DNLS350E, DNLS350Y, DP0150ADJ, DP0150ALP4, DP0150BDJ, DP0150BLP4, DPLS350E, 2N2907, DSS2540M, DSS30101L, DSS3540M, DSS4140U, DSS4140V, DSS4240T, DSS4240V, DSS4240Y

 

 

 

 

↑ Back to Top
.