Справочник транзисторов. DPLS350Y

 

Биполярный транзистор DPLS350Y Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DPLS350Y
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для DPLS350Y

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DPLS350Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  diodes
dpls350y.pdfpdf_icon

DPLS350Y

DPLS350Y 50V PNP LOW SATURATION POWER TRANSISTOR IN SOT89 Features Mechanical Data BVCEO > -50V Case: SOT89 IC = -3A High Continuous Collector Current Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound ICM up to -5A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 2W Power Dissipation Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Saturatio

 7.1. Size:134K  diodes
dpls350e.pdfpdf_icon

DPLS350Y

DPLS350ELOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case: SOT-223 Ideally Suited for Automated Assembly Processes Case Material: Molded Plastic, "Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Ideal for Medium Power Switchi

 7.2. Size:1350K  kexin
dpls350e.pdfpdf_icon

DPLS350Y

SMD Type TransistorsPNP TransistorsDPLS350E (KPLS350E)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 Collector Current Capability IC=-3A Collector Emitter Voltage VCEO=-50V Complementary to DNLS350E1 2 3COLLECTOR2,40.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base1 2.CollectorBASE0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector3EMITTER Absolute Maxim

 9.1. Size:158K  diodes
dpls315e.pdfpdf_icon

DPLS350Y

DPLS315EDPLS315E LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Epitaxial Planar Die Construction Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 70m at 3A High DC Current Gain hFE > 300 at IC = 2A Complementary NPN Type Available (DNLS412E) Ideally Suited for Automated Assembly Proces

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SC507R

 

 
Back to Top

 


 
.