Справочник транзисторов. ZXTN5551G

 

Биполярный транзистор ZXTN5551G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ZXTN5551G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для ZXTN5551G

 

 

ZXTN5551G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  diodes
zxtn5551g.pdf

ZXTN5551G
ZXTN5551G

NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN A Product Line ofUSE DZT5551Diodes IncorporatedZXTN5551G160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR Features Mechanical Data BVCEO > 160V Case: SOT223 Case material: Molded Plastic. Green Molding Compound. BVEBO > 6V UL Flammability Rating 94V-0 IC = 600mA Continuous Collector Current Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

 6.1. Size:212K  diodes
zxtn5551fl.pdf

ZXTN5551G
ZXTN5551G

ZXTN5551FL160V, SOT23, NPN High voltage transistorSummary BVCEO > 160VBVEBO > 6VIC(cont) = 600mA PD = 330mWComplementary part number ZXTP5401FLDescriptionCA high voltage NPN transistor in a small outline surface mount package.FeaturesB 160V rating SOT23 packageEApplicationsE High voltage amplificationCOrdering informationDevice Reel size Tape w

 6.2. Size:704K  diodes
zxtn5551z.pdf

ZXTN5551G
ZXTN5551G

NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS PLEASE USE DXT5551 ZXTN5551Z160V, SOT89, NPN high voltage transistor SummaryBVCEO > 160VBVEBO > 6VIC(cont) = 600mAPD = 1.2W Complementary part number ZXTP5401ZDescriptionCA high voltage NPN transistor in a small outline surface mount packageFeaturesB 160V rating SOT89 packageEApplicationsE High voltage amplificatio

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top