FJE3303. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FJE3303
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для FJE3303
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FJE3303 даташит
fje3303.pdf
FJE3303 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Regulator TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TC = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Bas
fje3303.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы: FJA4313, FJB102, FJB3307D, FJD3076, FJD3305H1, FJD5304D, FJD5553, FJD5555, BC547B, FJE5304D, FJI5603D, FJL4215, FJL4315, FJL6920, FJN3303F, FJP13007, FJP13009
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904


