FJP3305 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: FJP3305 📄📄
Маркировка: J3305-1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 19
Корпус транзистора: TO220
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для FJP3305
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FJP3305 даташит
fjp3305.pdf
October 2008 FJP3305 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Regulator TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings TC = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEB
fjp3305.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
fjp3305.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor FJP3305 DESCRIPTION Large current capacitance High Power Dissipation Low saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High speed switching applications Suitable for Electronic Ballast and Switching Regulator ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN
fjp3307d.pdf
July 2008 FJP3307D High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor Features Built-in Diode between Collector and Emitter Suitable for Electronic Ballast and Switch Mode Power Supplies Internal Schematic Diagram C B TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltag
Другие транзисторы: FJE5304D, FJI5603D, FJL4215, FJL4315, FJL6920, FJN3303F, FJP13007, FJP13009, D882P, FJP3307D, FJP5027N, FJP5304D, FJP5554, FJP5555, FJPF13007, FJPF13009, FJPF3305
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: NB021HU | UN421E | RN2702 | SUR536H | NB211ZH | BCY67 | 2N3800DCSM
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147



