FJP5304D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: FJP5304D 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8
Корпус транзистора: TO220
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для FJP5304D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FJP5304D даташит
fjp5304d.pdf
July 2008 FJP5304D NPN Silicon Transistor High Voltage High Speed Power Switch Application Wide Safe Operating Area Built-in Free Wheeling diodeSuitable for Electronic Ballast Application Suitable for Electronic Ballast Application Small Variance in Storage Time Equivalent Circuit C B TO-220 1 E 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless
fjp5304d.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
fjp5321.pdf
FJP5321 High Voltage and High Reliability High speed Switching Wide Safe Operating Area TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 800 V VCEO Collector-Emitter Voltage 500 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Curr
fjp5355.pdf
FJP5355 High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Very Low Switching Losses Very Low Operating Temperature Wide RBSOA TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 900 V VCEO Collector-Emitter Voltage 440 V VEBO Emitte
Другие транзисторы: FJL4315, FJL6920, FJN3303F, FJP13007, FJP13009, FJP3305, FJP3307D, FJP5027N, B647, FJP5554, FJP5555, FJPF13007, FJPF13009, FJPF3305, FJPF5021, FJPF5027, KSB834W
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: KT6110G | BFW60 | 2SC2714O | 2SC4102FRA | BF758BA | BCR523U | 2SB279
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667




