Биполярный транзистор FJP5554 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FJP5554
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1050 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: TO220
FJP5554 Datasheet (PDF)
fjp5554.pdf
October 2008FJP5554High Voltage Fast Switching TransistorFeatures Fast Speed Switching Wide Safe Operating Area Suitable for Electronic Ballast ApplicationTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 1050 VVCEO Collector-Emitter Voltage 400 VVEBO Emitter-Base Voltage 15 VIC Collector Cur
fjp5555.pdf
January 2010FJP5555NPN Silicon TransistorFeatures High Voltage Switch Mode Application Fast Speed Switching Wide Safe Operating Area Suitable for Electronic Ballast ApplicationTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1050 V VCEO Collector-Emitter Vol
fjp5555.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP122 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
