KSC5402DT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC5402DT  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 14

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC5402DT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5402DT даташит

 ..1. Size:220K  fairchild semi
 ksc5402dt.pdf pdf_icon

KSC5402DT

December 2009 KSC5402D/KSC5402DT NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor Features D-PAK High Voltage High Speed Power Switch Application Equivalent Circuit Wide Safe Operating Area C 1 Built-in Free Wheeling Diode TO-220 Suitable for Electronic Ballast Application B Small Variance in Storage Time Two Package Choices; D-PAK or TO-220 1 E 1.Base

 ..2. Size:334K  onsemi
 ksc5402d ksc5402dt.pdf pdf_icon

KSC5402DT

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: FJPF5021, FJPF5027, KSB834W, KSC5026M, KSC5305D, KSC5305DF, KSC5338D, KSC5402D, C1815, KSC5502, KSC5502D, KSC5502DT, KSC5603D, KSE13003T, KSE44H, KSE45H, MJD41CTF