2SC5888. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC5888
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: TO220ML
Аналоги (замена) для 2SC5888
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC5888 даташит
2sa2099 2sc5888.pdf
Ordering number EN7331A 2SA2099 / 2SC5888 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA2099 / 2SC5888 High-Current Switching Applications Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. S
2sc5888.pdf
Ordering number ENN7331 2SA2099 / 2SC5888 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA2099 / 2SC5888 High-Current Switching Applications Applications Package Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. unit mm 2041A Features [2SA2099 / 2SC5888] Adoption of MBIT processes. 4.5 10.0 2.8 Large current capacitance. 3.2 Low collector-to-emitter
2sc5886a.pdf
2SC5886A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5886A High-Speed Switching Applications Unit mm DC/DC Converter Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.22 V (max) High-speed switching tf = 95 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Coll
2sc5886.pdf
2SC5886 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5886 High-Speed Swtching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications High DC current gain h = 400 to 1000 (I = 0.5 A) FE C Low collector-emitter saturation V = 0.22 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 55 ns (typ.) f Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collect
Другие транзисторы: 2SC5501A, 2SC5551A, 2SC5566, 2SC5569, 2SC5658M3T5G, 2SC5658RM3T5G, 2SC5706, 2SC5707, B647, 2SC5964, 2SC5994, 2SC6017, 2SC6043, 2SC6082, 2SC6094, 2SC6095, 2SC6096
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941










