2SC5888 - описание и поиск аналогов

 

2SC5888. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5888

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO220ML

 Аналоги (замена) для 2SC5888

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5888 даташит

 ..1. Size:76K  sanyo
2sa2099 2sc5888.pdfpdf_icon

2SC5888

Ordering number EN7331A 2SA2099 / 2SC5888 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA2099 / 2SC5888 High-Current Switching Applications Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. S

 ..2. Size:42K  sanyo
2sc5888.pdfpdf_icon

2SC5888

Ordering number ENN7331 2SA2099 / 2SC5888 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA2099 / 2SC5888 High-Current Switching Applications Applications Package Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. unit mm 2041A Features [2SA2099 / 2SC5888] Adoption of MBIT processes. 4.5 10.0 2.8 Large current capacitance. 3.2 Low collector-to-emitter

 8.1. Size:144K  toshiba
2sc5886a.pdfpdf_icon

2SC5888

2SC5886A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5886A High-Speed Switching Applications Unit mm DC/DC Converter Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.22 V (max) High-speed switching tf = 95 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Coll

 8.2. Size:123K  toshiba
2sc5886.pdfpdf_icon

2SC5888

2SC5886 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5886 High-Speed Swtching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications High DC current gain h = 400 to 1000 (I = 0.5 A) FE C Low collector-emitter saturation V = 0.22 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 55 ns (typ.) f Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collect

Другие транзисторы: 2SC5501A, 2SC5551A, 2SC5566, 2SC5569, 2SC5658M3T5G, 2SC5658RM3T5G, 2SC5706, 2SC5707, B647, 2SC5964, 2SC5994, 2SC6017, 2SC6043, 2SC6082, 2SC6094, 2SC6095, 2SC6096

 

 

 

 

↑ Back to Top
.