DTC123JE - описание и поиск аналогов

 

DTC123JE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC123JE

Маркировка: 8M_E42

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC75 SOT416

 Аналоги (замена) для DTC123JE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC123JE даташит

 ..1. Size:140K  rohm
dtc123j-series dtc123je.pdfpdf_icon

DTC123JE

100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTC123JM / DTC123JE / DTC123JUA / DTC123JKA Applications Inverter, Interface, Driver Features 1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see the equivalent circuit). 2)The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolati

 ..2. Size:1628K  cn shikues
dtc123je.pdfpdf_icon

DTC123JE

DTC123JE Digital Transistors (Built-in Resistors) DIGITAL TRANSISTOR (NPN) FEATURES Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see equivalent circuit) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input.They also have the advantage of almos

 0.1. Size:54K  motorola
pdtc123jef 1.pdfpdf_icon

DTC123JE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 0.2. Size:55K  motorola
pdtc123je 3.pdfpdf_icon

DTC123JE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC123JE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 Aug 03 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 k respectively) Simplification of circuit design handbook, halfpage 3 3

Другие транзисторы: DTA115EE, DTA143EE, DTA143ZE, DTA144EE, DTC114EE, DTC114TE, DTC114YE, DTC115EE, A1015, DTC124EE, DTC124XE, DTC143EE, DTC143ZE, DTC144EE, EC3H02BA, EC4H09C, ECH8501

 

 

 

 

↑ Back to Top
.