MJF31C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJF31C  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220FP

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJF31C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJF31C даташит

 ..1. Size:190K  onsemi
 mjf31c mjf32c.pdf pdf_icon

MJF31C

MJF31C (NPN), MJF32C (PNP) Preferred Device Complementary Silicon Plastic Power Transistors for Isolated Package http //onsemi.com Applications Designed for use in general purpose amplifier and switching 3.0 AMPERE applications. POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Features 100 VOLTS, 28 WATTS Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc

 0.1. Size:122K  onsemi
 mjf31cg.pdf pdf_icon

MJF31C

MJF31C (NPN), MJF32C (PNP) Preferred Device Complementary Silicon Plastic Power Transistors for Isolated Package http //onsemi.com Applications Designed for use in general purpose amplifier and switching 3.0 AMPERE applications. POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Features 100 VOLTS, 28 WATTS Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc

Другие транзисторы: MJB5742, MJD128, MJD253, MJD44E3, MJE15032, MJE15033, MJE15034, MJE15035, TIP2955, MJF32C, MJF44H11, MJF45H11, MJL1302A, MJL21193, MJL21194, MJL21195, MJL21196