MJF31C - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MJF31C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220FP
Аналоги (замена) для MJF31C
MJF31C - технические параметры
mjf31c mjf32c.pdf
MJF31C (NPN), MJF32C (PNP) Preferred Device Complementary Silicon Plastic Power Transistors for Isolated Package http //onsemi.com Applications Designed for use in general purpose amplifier and switching 3.0 AMPERE applications. POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Features 100 VOLTS, 28 WATTS Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
mjf31cg.pdf
MJF31C (NPN), MJF32C (PNP) Preferred Device Complementary Silicon Plastic Power Transistors for Isolated Package http //onsemi.com Applications Designed for use in general purpose amplifier and switching 3.0 AMPERE applications. POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Features 100 VOLTS, 28 WATTS Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
Другие транзисторы... MJB5742 , MJD128 , MJD253 , MJD44E3 , MJE15032 , MJE15033 , MJE15034 , MJE15035 , TIP2955 , MJF32C , MJF44H11 , MJF45H11 , MJL1302A , MJL21193 , MJL21194 , MJL21195 , MJL21196 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor



