2N558. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N558

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N558

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N558 даташит

 0.1. Size:11K  semelab
 2n5583.pdf pdf_icon

2N558

2N5583 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar PNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 30V dia. IC = 0.5A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1

 0.2. Size:26K  semelab
 2n5583 1.pdf pdf_icon

2N558

2N5583 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar PNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 30V dia. IC = 0.5A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1

 0.3. Size:52K  microsemi
 2n5581 2n5582.pdf pdf_icon

2N558

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/423 Devices Qualified Level JAN 2N5581 2N5582 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage 50 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 75 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 6.0 Vdc VEBO Collector Current 800 mAdc IC Total Power Dissipation @ T = 250C (1) 0.5 W A

Другие транзисторы: 2N556, 2N5560, 2N557, 2N5575, 2N5576, 2N5577, 2N5578, 2N5579, TIP142, 2N5580, 2N5581, 2N5582, 2N5583, 2N5583LP, 2N5584, 2N5587, 2N5588