NJT4030P datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NJT4030P 📄📄
Маркировка: 4030P
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT223 TO261
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для NJT4030P
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NJT4030P даташит
njt4030p njv4030p.pdf
Bipolar Power Transistors PNP Silicon NJT4030P, NJV4030P Features Epoxy Meets UL 94, V-0 @ 0.125 in NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring www.onsemi.com Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable PNP TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3.0 AMPERES Compliant 40 VOLTS, 2.0 WATT
njt4030p-t.pdf
NJT4030P, NJV4030PT1G, NJV4030PT3G Bipolar Power Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features PNP TRANSISTOR Collector -Emitter Sustaining Voltage - 3.0 AMPERES VCEO(sus) = 40 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc 40 VOLTS, 2.0 WATTS High DC Current Gain - hFE = 200 (Min) @ IC = 1.0 Adc = 100 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.2
njt4030p-d.pdf
NJT4030P Bipolar Power Transistors PNP Silicon Features Collector --Emitter Sustaining Voltage -- http //onsemi.com VCEO(sus) =40Vdc (Min) @IC =10mAdc High DC Current Gain -- PNP TRANSISTOR hFE = 200 (Min) @ IC =1.0 Adc = 100 (Min) @ IC =3.0 Adc 3.0 AMPERES Low Collector --Emitter Saturation Voltage -- 40 VOLTS, 2.0 WATTS VCE(sat) = 0.200 Vdc (Max) @ IC =1.0 Adc = 0.5
njt4031n njv4031nt1g njv4031nt3g.pdf
NJT4031N, NJV4031NT1G, NJV4031NT3G Bipolar Power Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features Epoxy Meets UL 94, V-0 @ 0.125 in NPN TRANSISTOR NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3.0 AMPERES Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 40 VOLTS, 2.0 WATTS Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free a
Другие транзисторы: NJD2873, NJD35N04, NJL0281D, NJL0302D, NJL1302D, NJL3281D, NJL4281D, NJL4302D, 2SC2625, NJT4031NT1G, NJW0302, NJW1302, NJW21194, NJX1675P, NS2029M3, NSB1706DMW5, NSB4904DW1
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 40616 | 2SC4116-Y | KRC825E | KT826B | NJL1302D | BC399A | KRC839U
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor





