NSB1706DMW5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NSB1706DMW5
Маркировка: U6
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.187 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SC88A SC70 SOT323
Аналоги (замена) для NSB1706DMW5
NSB1706DMW5 Datasheet (PDF)
nsb1706dmw5t1g.pdf
NSB1706DMW5T1G Dual Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with http //onsemi.com a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its
nsb1706dmw5t1-d.pdf
NSB1706DMW5T1G Dual Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with http //onsemi.com a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its
Другие транзисторы... NJL4302D , NJT4030P , NJT4031NT1G , NJW0302 , NJW1302 , NJW21194 , NJX1675P , NS2029M3 , A1013 , NSB4904DW1 , NSB9435 , NSL12AW , NSM6056MT1G , NSM80100M , NSM80101M , NSS12100M3T5G , NSS12100UW .
History: HEPS5024 | CHUMB2GP
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet



