NSB1706DMW5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NSB1706DMW5  📄📄 

Маркировка: U6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.187 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC88A SC70 SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NSB1706DMW5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSB1706DMW5 даташит

 0.1. Size:113K  onsemi
 nsb1706dmw5t1g.pdf pdf_icon

NSB1706DMW5

NSB1706DMW5T1G Dual Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with http //onsemi.com a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its

 0.2. Size:117K  onsemi
 nsb1706dmw5t1-d.pdf pdf_icon

NSB1706DMW5

NSB1706DMW5T1G Dual Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with http //onsemi.com a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its

Другие транзисторы: NJL4302D, NJT4030P, NJT4031NT1G, NJW0302, NJW1302, NJW21194, NJX1675P, NS2029M3, A1013, NSB4904DW1, NSB9435, NSL12AW, NSM6056MT1G, NSM80100M, NSM80101M, NSS12100M3T5G, NSS12100UW