Справочник транзисторов. BC847BPN

 

Биполярный транзистор BC847BPN Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC847BPN
   Маркировка: 13*_13t
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT363
 

 Аналог (замена) для BC847BPN

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC847BPN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  philips
bc847bpn 2.pdfpdf_icon

BC847BPN

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETandbook, halfpageMBD128BC847BPNNPN/PNP general purposetransistor1999 Apr 26Preliminary specificationSupersedes data of 1997 Jul 09Philips Semiconductors Preliminary specificationNPN/PNP general purpose transistor BC847BPNFEATURES PINNING Low collector capacitancePIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage1, 4 e

 ..2. Size:101K  philips
bc847bpn.pdfpdf_icon

BC847BPN

BC847BPN45 V, 100 mA NPN/PNP general-purpose transistorRev. 04 18 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP general-purpose transistor pair in a very small SOT363 (SC-88)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features Low collector capacitance Low collector-emitter saturation voltage Closely matched current gain Reduces

 ..3. Size:101K  nxp
bc847bpn.pdfpdf_icon

BC847BPN

BC847BPN45 V, 100 mA NPN/PNP general-purpose transistorRev. 04 18 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP general-purpose transistor pair in a very small SOT363 (SC-88)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features Low collector capacitance Low collector-emitter saturation voltage Closely matched current gain Reduces

 ..4. Size:1957K  kexin
bc847bpn.pdfpdf_icon

BC847BPN

SMD Type TransistorsComposite TransistorsBC847BPN (KC847BPN) Features Low collector capacitance Low collector-emitter saturation voltage Closely matched current gain Reduces number of components and board space No mutual interference between the transistorsC1 B2 E20.5 mm (min)PNPNPNE1 B1 C21.9 mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parame

Другие транзисторы... BC807W , BC817DPN , BC817W , BC846AT , BC846BT , BC846S , BC846T , BC846W , 2SA1015 , BC847BV , BC847BVN , BC847T , BC847W , BC848W , BC856AT , BC856BT , BC856S .

 

 
Back to Top

 


 
.