Биполярный транзистор BFG540 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BFG540
Маркировка: N37
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT143B
Аналог (замена) для BFG540
BFG540 Datasheet (PDF)
bfg540 x xr n.pdf

BFG540; BFG540/X; BFG540/XRNPN 9 GHz wideband transistorRev. 05 21 November 2007 Product data sheetIMPORTANT NOTICEDear customer,As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name- NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contactdetails.In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new lin
bfg540 bfg540x bfg540xr 4.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG540; BFG540/X; BFG540/XRNPN 9 GHz wideband transistorProduct specification 2000 May 23Supersedes data of 1997 Dec 03Philips Semiconductors Product specificationBFG540; BFG540/X;NPN 9 GHz wideband transistorBFG540/XRFEATURES PINNINGhandbook, 2 columns43 High power gainPIN DESCRIPTION Low noise figureBFG540 (Fig.1) Code: N
bfg540 v2.pdf

isc Silicon NPN RF Transistor BFG540DESCRIPTIONLow Noise FigureNF = 1.3 dB TYP.@V = 8 V, I = 10 mA, f = 900 MHzCE CHigh GainS 2 =16dB TYP.21@V = 8 V,I = 40 mA,f = 900 MHzCE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in low noise ,high-gain amplifiersand linear broadband amplifiers.A
bfg540.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor BFG540DESCRIPTIONLow Noise FigureNF = 1.3 dB TYP. @V = 8 V, I = 10 mA, f = 900 MHzCE CHigh GainS 2 =16dB TYP. @V = 8 V,I = 40 mA,f = 900 MHz21 CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in low noise ,high-gain amplifiers andlinear bro
Другие транзисторы... BFG25AW , BFG310 , BFG310W , BFG325 , BFG325W , BFG410W , BFG424F , BFG424W , 2N3904 , BFG540W , BFG541 , BFQ540 , BFQ591 , BFR505 , BFR505T , BFR540 , BFR92AW .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n