Биполярный транзистор MX0912B351Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MX0912B351Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 960 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 21 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: SOT439A
Аналоги (замена) для MX0912B351Y
MX0912B351Y Datasheet (PDF)
mx0912b351y 2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMX0912B351YNPN microwave power transistor1997 Feb 19Product specificationSupersedes data of November 1994Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistor MX0912B351YFEATURES PINNING - SOT439A Interdigitated structure; high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting resistors providing ex
mx0912b251y 2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMX0912B251YNPN microwave power transistor1997 Feb 19Product specificationSupersedes data of November 1994Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistor MX0912B251YFEATURES PINNING - SOT439A Interdigitated structure; high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting resistors providing ex
mx0912b100y mz0912b100y.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMX0912B100Y; MZ0912B100YNPN microwave power transistors1997 Feb 20Product specificationSupersedes data of June 1992Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistors MX0912B100Y; MZ0912B100YFEATURES PINNING Interdigitated structure provides high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting
mx0912b100y.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMX0912B100Y; MZ0912B100YNPN microwave power transistors1997 Feb 20Product specificationSupersedes data of June 1992Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistors MX0912B100Y; MZ0912B100YFEATURES PINNING Interdigitated structure provides high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .