Справочник транзисторов. MX0912B351Y

 

Биполярный транзистор MX0912B351Y Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MX0912B351Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 960 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 21 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: SOT439A
 

 Аналог (замена) для MX0912B351Y

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MX0912B351Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  philips
 mx0912b351y 2.pdf pdf_icon

MX0912B351Y

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMX0912B351YNPN microwave power transistor1997 Feb 19Product specificationSupersedes data of November 1994Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistor MX0912B351YFEATURES PINNING - SOT439A Interdigitated structure; high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting resistors providing ex

 7.1. Size:77K  philips
 mx0912b251y 2.pdf pdf_icon

MX0912B351Y

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMX0912B251YNPN microwave power transistor1997 Feb 19Product specificationSupersedes data of November 1994Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistor MX0912B251YFEATURES PINNING - SOT439A Interdigitated structure; high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting resistors providing ex

 7.2. Size:81K  philips
 mx0912b100y mz0912b100y.pdf pdf_icon

MX0912B351Y

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMX0912B100Y; MZ0912B100YNPN microwave power transistors1997 Feb 20Product specificationSupersedes data of June 1992Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistors MX0912B100Y; MZ0912B100YFEATURES PINNING Interdigitated structure provides high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting

 7.3. Size:78K  philips
 mx0912b100y.pdf pdf_icon

MX0912B351Y

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETMX0912B100Y; MZ0912B100YNPN microwave power transistors1997 Feb 20Product specificationSupersedes data of June 1992Philips Semiconductors Product specificationNPN microwave power transistors MX0912B100Y; MZ0912B100YFEATURES PINNING Interdigitated structure provides high emitter efficiencyPIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BUJ403A , BUJD103AD , BUJD105AD , BUJD203A , BUJD203AD , BUJD203AX , BUT11APX-1200 , MX0912B251Y , 2SD313 , MZ0912B100Y , MZ0912B50Y , 3CA649 , 3CA649A , 3CA683 , 3CA684 , 3CA688 , 3CA750 .

History: KTX103E

 

 
Back to Top

 


 
.