PBHV8115T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBHV8115T

Маркировка: W6-_W6p_W6t_W6W

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для PBHV8115T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV8115T даташит

 ..1. Size:106K  nxp
 pbhv8115t.pdf pdf_icon

PBHV8115T

PBHV8115T 150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 4 February 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9115T. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter satu

 0.1. Size:412K  nxp
 pbhv8115tlh.pdf pdf_icon

PBHV8115T

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:126K  philips
 pbhv8115z.pdf pdf_icon

PBHV8115T

PBHV8115Z 150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 9 December 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9115Z. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter

 6.2. Size:242K  nxp
 pbhv8115x.pdf pdf_icon

PBHV8115T

PBHV8115X 150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 9 December 2013 Product data sheet 1. General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62) medium power and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9115X. 2. Features and benefits High voltage Low collector-emitter s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CA772M, 3CA772S, 3CA772T, 3CA80A, 3CA80B, 3CA80C, 3CA80D, 3CA80E, 2N2907, PBHV8115Z, PBHV8140Z, PBHV8215Z, PBHV8540T, PBHV8540Z, PBHV9040T, PBHV9040Z, PBHV9050T