Биполярный транзистор PBHV8140Z Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBHV8140Z
Маркировка: V8140Z
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT223
Аналог (замена) для PBHV8140Z
PBHV8140Z Datasheet (PDF)
pbhv8140z.pdf

PBHV8140Z500 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 11 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9540Z.1.2 Features High voltage Low collector-emitt
pbhv8140z.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbhv8118t.pdf

PBHV8118T180 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 7 May 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation voltage VCEs
pbhv8115z.pdf

PBHV8115Z150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 9 December 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a mediumpower SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9115Z.1.2 Features High voltage Low collector-emitter
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
History: D38S8 | 3CD9F



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124