Справочник транзисторов. PBHV8140Z

 

Биполярный транзистор PBHV8140Z Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBHV8140Z
   Маркировка: V8140Z
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для PBHV8140Z

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV8140Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  philips
pbhv8140z.pdfpdf_icon

PBHV8140Z

PBHV8140Z500 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 11 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9540Z.1.2 Features High voltage Low collector-emitt

 ..2. Size:269K  nxp
pbhv8140z.pdfpdf_icon

PBHV8140Z

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 8.1. Size:164K  philips
pbhv8118t.pdfpdf_icon

PBHV8140Z

PBHV8118T180 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 7 May 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation voltage VCEs

 8.2. Size:126K  philips
pbhv8115z.pdfpdf_icon

PBHV8140Z

PBHV8115Z150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 9 December 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a mediumpower SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9115Z.1.2 Features High voltage Low collector-emitter

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: D38S8 | 3CD9F

 

 
Back to Top

 


 
.