Биполярный транзистор PBHV9040T Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBHV9040T
Маркировка: W5*
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PBHV9040T Datasheet (PDF)
pbhv9040t.pdf

PBHV9040T500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 15 January 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in aSOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBHV8540T.1.2 Features High voltage Low collector-emitter s
pbhv9040t.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbhv9040z.pdf

PBHV9040Z500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 15 January 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in aSOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBHV8540Z.1.2 Features High voltage Low collector-emit
pbhv9040x.pdf

PBHV9040X500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor9 December 2013 Product data sheet1. General descriptionPNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89(SC-62) medium power and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBHV8540X.2. Features and benefits High voltage Low collector-emitte
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: GSTU10040 | STD01P | 2N1614 | BUX77ASMD | TBC857 | 9018M
History: GSTU10040 | STD01P | 2N1614 | BUX77ASMD | TBC857 | 9018M



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107