PBHV9040T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBHV9040T

Маркировка: W5*

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для PBHV9040T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV9040T даташит

 ..1. Size:118K  philips
 pbhv9040t.pdf pdf_icon

PBHV9040T

PBHV9040T 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 15 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBHV8540T. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter s

 ..2. Size:234K  nxp
 pbhv9040t.pdf pdf_icon

PBHV9040T

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:130K  philips
 pbhv9040z.pdf pdf_icon

PBHV9040T

PBHV9040Z 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 15 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBHV8540Z. 1.2 Features High voltage Low collector-emit

 6.2. Size:244K  nxp
 pbhv9040x.pdf pdf_icon

PBHV9040T

PBHV9040X 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 9 December 2013 Product data sheet 1. General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62) medium power and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBHV8540X. 2. Features and benefits High voltage Low collector-emitte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CA80D, 3CA80E, PBHV8115T, PBHV8115Z, PBHV8140Z, PBHV8215Z, PBHV8540T, PBHV8540Z, MJE350, PBHV9040Z, PBHV9050T, PBHV9115T, PBHV9115Z, PBHV9215Z, PBHV9540Z, PBLS1501V, PBLS1501Y