PBHV9215Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBHV9215Z

Маркировка: V9215Z

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для PBHV9215Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV9215Z даташит

 ..1. Size:151K  philips
pbhv9215z.pdfpdf_icon

PBHV9215Z

PBHV9215Z 150 V, 2 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 11 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBHV8215Z. 1.2 Features High voltage Low collector-emitt

 ..2. Size:268K  nxp
pbhv9215z.pdfpdf_icon

PBHV9215Z

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 9.1. Size:333K  philips
pbhv9050z.pdfpdf_icon

PBHV9215Z

PBHV9050Z 500 V, 250 mA PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 1 19 August 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturation v

 9.2. Size:90K  philips
pbhv9050t.pdfpdf_icon

PBHV9215Z

PBHV9050T 500 V, 150 mA PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 16 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PMBTA45. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter s

Другие транзисторы: PBHV8215Z, PBHV8540T, PBHV8540Z, PBHV9040T, PBHV9040Z, PBHV9050T, PBHV9115T, PBHV9115Z, A42, PBHV9540Z, PBLS1501V, PBLS1501Y, PBLS1502V, PBLS1502Y, PBLS1503V, PBLS1503Y, PBLS1504V