PBRN113ET datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBRN113ET  📄📄 

Маркировка: 7G_p7G_t7G_W7G

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBRN113ET

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBRN113ET даташит

 6.1. Size:152K  nxp
 pbrn113es pbrn113e pbrn113ek.pdf pdf_icon

PBRN113ET

PBRN113E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 01 1 March 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236 PBRN113ES

 6.2. Size:147K  nxp
 pbrn113e.pdf pdf_icon

PBRN113ET

PBRN113E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 01 1 March 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236 PBRN113ES

 7.1. Size:150K  nxp
 pbrn113z.pdf pdf_icon

PBRN113ET

PBRN113Z series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k , R2 = 10 k Rev. 01 26 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN113ZK SOT346 SC-59A TO-236 PBRN

 7.2. Size:154K  nxp
 pbrn113zs pbrn113z pbrn113zk.pdf pdf_icon

PBRN113ET

PBRN113Z series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k , R2 = 10 k Rev. 01 26 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN113ZK SOT346 SC-59A TO-236 PBRN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBLS6005D, PBLS6021D, PBLS6022D, PBLS6023D, PBLS6024D, PBR941, PBR941B, PBR951, B772, PBRN113ZT, PBRN123ET, PBRN123YT, PBRP113ET, PBRP113ZT, PBRP123ET, PBRP123YT, PBSS2515E