PBRP123ET datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBRP123ET  📄📄 

Маркировка: *7H_-7H_p7H_t7H_W7H

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBRP123ET

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBRP123ET даташит

 ..1. Size:112K  philips
 pbrp123et.pdf pdf_icon

PBRP123ET

PBRP123ET PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Rev. 01 16 January 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBRN123ET. 1.2 Features 800 mA repetitive peak

 7.1. Size:114K  philips
 pbrp123yt.pdf pdf_icon

PBRP123ET

PBRP123YT PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 01 17 December 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBRN123YT. 1.2 Features 800 mA repetitive peak

 9.1. Size:115K  philips
 pbrp113zt.pdf pdf_icon

PBRP123ET

PBRP113ZT PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 k , R2 = 10 k Rev. 01 16 January 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBRN113ZT. 1.2 Features 800 mA repetitive peak out

 9.2. Size:104K  nxp
 pbrp113e.pdf pdf_icon

PBRP123ET

PBRP113ET PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 01 17 December 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBRN113ET. 1.2 Features 800 mA repetitive peak out

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBR941B, PBR951, PBRN113ET, PBRN113ZT, PBRN123ET, PBRN123YT, PBRP113ET, PBRP113ZT, BC558, PBRP123YT, PBSS2515E, PBSS2515M, PBSS2515VPN, PBSS2515VS, PBSS2515YPN, PBSS2540E, PBSS2540M