Биполярный транзистор PBRP123YT - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBRP123YT
Маркировка: *7Q_-7Q_p7Q_t7Q_W7Q
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 190
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для PBRP123YT
PBRP123YT Datasheet (PDF)
pbrp123yt.pdf
PBRP123YTPNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 k, R2 = 10 kRev. 01 17 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage.NPN complement: PBRN123YT.1.2 Features 800 mA repetitive peak
pbrp123et.pdf
PBRP123ETPNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kRev. 01 16 January 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage.NPN complement: PBRN123ET.1.2 Features 800 mA repetitive peak
pbrp113zt.pdf
PBRP113ZTPNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 01 16 January 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage.NPN complement: PBRN113ZT.1.2 Features 800 mA repetitive peak out
pbrp113e.pdf
PBRP113ETPNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 01 17 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage.NPN complement: PBRN113ET.1.2 Features 800 mA repetitive peak out
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
