Справочник транзисторов. PBRP123YT

 

Биполярный транзистор PBRP123YT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBRP123YT
   Маркировка: *7Q_-7Q_p7Q_t7Q_W7Q
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 190
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для PBRP123YT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBRP123YT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  philips
 pbrp123yt.pdf pdf_icon

PBRP123YT

PBRP123YTPNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 k, R2 = 10 kRev. 01 17 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage.NPN complement: PBRN123YT.1.2 Features 800 mA repetitive peak

 7.1. Size:112K  philips
 pbrp123et.pdf pdf_icon

PBRP123YT

PBRP123ETPNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kRev. 01 16 January 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage.NPN complement: PBRN123ET.1.2 Features 800 mA repetitive peak

 9.1. Size:115K  philips
 pbrp113zt.pdf pdf_icon

PBRP123YT

PBRP113ZTPNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 01 16 January 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage.NPN complement: PBRN113ZT.1.2 Features 800 mA repetitive peak out

 9.2. Size:104K  nxp
 pbrp113e.pdf pdf_icon

PBRP123YT

PBRP113ETPNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 01 17 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage.NPN complement: PBRN113ET.1.2 Features 800 mA repetitive peak out

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PBR951 , PBRN113ET , PBRN113ZT , PBRN123ET , PBRN123YT , PBRP113ET , PBRP113ZT , PBRP123ET , 2SD2499 , PBSS2515E , PBSS2515M , PBSS2515VPN , PBSS2515VS , PBSS2515YPN , PBSS2540E , PBSS2540M , PBSS301ND .

History: 2SC3189 | NSD154

 

 
Back to Top

 


 
.