Биполярный транзистор PBSS301ND Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS301ND
Маркировка: C6
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT457 SC74
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PBSS301ND Datasheet (PDF)
pbss301nd.pdf

PBSS301ND20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 03 7 September 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS301PD.1.2 Features Very low collector-emitter saturation resistance Ultra low collector-emit
pbss301nd.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbss301nx.pdf

PBSS301NX12 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS301PX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa
pbss301nz.pdf

PBSS301NZ12 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS301PZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: CMXT2207 | HA7631 | ZTX4403K
History: CMXT2207 | HA7631 | ZTX4403K



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor