PBSS301ND datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS301ND  📄📄 

Маркировка: C6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT457 SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS301ND

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS301ND даташит

 ..1. Size:128K  philips
 pbss301nd.pdf pdf_icon

PBSS301ND

PBSS301ND 20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 03 7 September 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS301PD. 1.2 Features Very low collector-emitter saturation resistance Ultra low collector-emit

 ..2. Size:245K  nxp
 pbss301nd.pdf pdf_icon

PBSS301ND

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:177K  nxp
 pbss301nx.pdf pdf_icon

PBSS301ND

PBSS301NX 12 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS301PX. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa

 6.2. Size:149K  nxp
 pbss301nz.pdf pdf_icon

PBSS301ND

PBSS301NZ 12 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS301PZ. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBRP123YT, PBSS2515E, PBSS2515M, PBSS2515VPN, PBSS2515VS, PBSS2515YPN, PBSS2540E, PBSS2540M, TIP42, PBSS301NX, PBSS301NZ, PBSS301PD, PBSS301PX, PBSS301PZ, PBSS302ND, PBSS302NX, PBSS302NZ