PBSS302ND datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS302ND  📄📄 

Маркировка: C7

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT457 SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS302ND

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS302ND даташит

 ..1. Size:136K  philips
 pbss302nd.pdf pdf_icon

PBSS302ND

PBSS302ND 40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 18 February 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS302PD. 1.2 Features Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat 4 A continuou

 ..2. Size:126K  nxp
 pbss302nd.pdf pdf_icon

PBSS302ND

PBSS302ND 40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 18 February 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS302PD. 1.2 Features Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat 4 A continuou

 6.1. Size:164K  philips
 pbss302nz.pdf pdf_icon

PBSS302ND

PBSS302NZ 20 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 20 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS302PZ. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c

 6.2. Size:188K  philips
 pbss302nx.pdf pdf_icon

PBSS302ND

PBSS302NX 20 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 20 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS302PX. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS2540E, PBSS2540M, PBSS301ND, PBSS301NX, PBSS301NZ, PBSS301PD, PBSS301PX, PBSS301PZ, 2SC2655, PBSS302NX, PBSS302NZ, PBSS302PD, PBSS302PX, PBSS302PZ, PBSS303ND, PBSS303NX, PBSS303NZ