Справочник транзисторов. PBSS302ND

 

Биполярный транзистор PBSS302ND Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS302ND
   Маркировка: C7
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT457 SC74
 

 Аналог (замена) для PBSS302ND

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS302ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  philips
 pbss302nd.pdf pdf_icon

PBSS302ND

PBSS302ND40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 18 February 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS302PD.1.2 Features Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat 4 A continuou

 ..2. Size:126K  nxp
 pbss302nd.pdf pdf_icon

PBSS302ND

PBSS302ND40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 18 February 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS302PD.1.2 Features Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat 4 A continuou

 6.1. Size:164K  philips
 pbss302nz.pdf pdf_icon

PBSS302ND

PBSS302NZ20 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS302PZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c

 6.2. Size:188K  philips
 pbss302nx.pdf pdf_icon

PBSS302ND

PBSS302NX20 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS302PX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PBSS2540E , PBSS2540M , PBSS301ND , PBSS301NX , PBSS301NZ , PBSS301PD , PBSS301PX , PBSS301PZ , 8550 , PBSS302NX , PBSS302NZ , PBSS302PD , PBSS302PX , PBSS302PZ , PBSS303ND , PBSS303NX , PBSS303NZ .

History: 2N1634 | DTC143ZM3 | 2SC140 | BLT92 | ECG288 | NSD133 | 2SC1413

 

 
Back to Top

 


 
.