Справочник транзисторов. PBSS302NZ

 

Биполярный транзистор PBSS302NZ Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS302NZ
   Маркировка: S302NZ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для PBSS302NZ

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS302NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  philips
pbss302nz.pdfpdf_icon

PBSS302NZ

PBSS302NZ20 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS302PZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c

 ..2. Size:281K  nxp
pbss302nz.pdfpdf_icon

PBSS302NZ

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:136K  philips
pbss302nd.pdfpdf_icon

PBSS302NZ

PBSS302ND40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 18 February 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS302PD.1.2 Features Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat 4 A continuou

 6.2. Size:188K  philips
pbss302nx.pdfpdf_icon

PBSS302NZ

PBSS302NX20 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS302PX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa

Другие транзисторы... PBSS301ND , PBSS301NX , PBSS301NZ , PBSS301PD , PBSS301PX , PBSS301PZ , PBSS302ND , PBSS302NX , S9013 , PBSS302PD , PBSS302PX , PBSS302PZ , PBSS303ND , PBSS303NX , PBSS303NZ , PBSS303PD , PBSS303PX .

History: KSA1304 | MJD50T4 | LMUN5116T1G | 2SC2616

 

 
Back to Top

 


 
.