Биполярный транзистор PBSS302PD Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS302PD
Маркировка: C9
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT457 SC74
Аналог (замена) для PBSS302PD
PBSS302PD Datasheet (PDF)
pbss302pd.pdf

PBSS302PD40 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 6 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS302ND.1.2 Features Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat 4 A continuous
pbss302pd.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbss302px.pdf

PBSS302PX20 V, 5.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS302NX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa
pbss302pz.pdf

PBSS302PZ20 V, 5.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS302NZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c
Другие транзисторы... PBSS301NX , PBSS301NZ , PBSS301PD , PBSS301PX , PBSS301PZ , PBSS302ND , PBSS302NX , PBSS302NZ , BC556 , PBSS302PX , PBSS302PZ , PBSS303ND , PBSS303NX , PBSS303NZ , PBSS303PD , PBSS303PX , PBSS303PZ .
History: BC437A
History: BC437A



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198