Биполярный транзистор PBSS302PZ Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS302PZ
Маркировка: S302PZ
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: SOT223
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PBSS302PZ Datasheet (PDF)
pbss302pz.pdf

PBSS302PZ20 V, 5.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS302NZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c
pbss302pz.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbss302px.pdf

PBSS302PX20 V, 5.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS302NX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa
pbss302pd.pdf

PBSS302PD40 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 6 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS302ND.1.2 Features Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat 4 A continuous
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: KRC407V | DTA024EEB | ZTX454
History: KRC407V | DTA024EEB | ZTX454



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet