Справочник транзисторов. PBSS303ND

 

Биполярный транзистор PBSS303ND Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS303ND
   Маркировка: AE
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 33 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 345
   Корпус транзистора: SOT457 SC74
 

 Аналог (замена) для PBSS303ND

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS303ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  nxp
 pbss303nd.pdf pdf_icon

PBSS303ND

PBSS303ND60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 14 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS303PD.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector curr

 6.1. Size:126K  nxp
 pbss303nx.pdf pdf_icon

PBSS303ND

PBSS303NX30 V, 5.1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 23 August 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89(SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS303PX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

 6.2. Size:152K  nxp
 pbss303nz.pdf pdf_icon

PBSS303ND

PBSS303NZ30 V, 5.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS303PZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c

 7.1. Size:191K  nxp
 pbss303pd.pdf pdf_icon

PBSS303ND

PBSS303PD60 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS303ND.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PBSS301PX , PBSS301PZ , PBSS302ND , PBSS302NX , PBSS302NZ , PBSS302PD , PBSS302PX , PBSS302PZ , 2SC2383Y , PBSS303NX , PBSS303NZ , PBSS303PD , PBSS303PX , PBSS303PZ , PBSS304ND , PBSS304NX , PBSS304NZ .

History: 2SC4332-Z | 2SD1313 | KSE200 | BUL57A | D40K2 | DMA96103 | FTC2411K

 

 
Back to Top

 


 
.