Справочник транзисторов. PBSS303NX

 

Биполярный транзистор PBSS303NX Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS303NX
   Маркировка: *5D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для PBSS303NX

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS303NX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  nxp
 pbss303nx.pdf pdf_icon

PBSS303NX

PBSS303NX30 V, 5.1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 23 August 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89(SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS303PX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

 6.1. Size:175K  nxp
 pbss303nd.pdf pdf_icon

PBSS303NX

PBSS303ND60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 14 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS303PD.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector curr

 6.2. Size:152K  nxp
 pbss303nz.pdf pdf_icon

PBSS303NX

PBSS303NZ30 V, 5.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS303PZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c

 7.1. Size:191K  nxp
 pbss303pd.pdf pdf_icon

PBSS303NX

PBSS303PD60 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS303ND.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PBSS301PZ , PBSS302ND , PBSS302NX , PBSS302NZ , PBSS302PD , PBSS302PX , PBSS302PZ , PBSS303ND , D965 , PBSS303NZ , PBSS303PD , PBSS303PX , PBSS303PZ , PBSS304ND , PBSS304NX , PBSS304NZ , PBSS304PD .

History: 2SC2624 | BLU10-12 | MH8501 | BTC1510F3 | BULD138-1 | BDX83C | SRC1203U

 

 
Back to Top

 


 
.