Справочник транзисторов. PBSS303PZ

 

Биполярный транзистор PBSS303PZ Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS303PZ
   Маркировка: S303PZ
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для PBSS303PZ

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS303PZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  nxp
 pbss303pz.pdf pdf_icon

PBSS303PZ

PBSS303PZ30 V, 5.3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS303NZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c

 6.1. Size:191K  nxp
 pbss303pd.pdf pdf_icon

PBSS303PZ

PBSS303PD60 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS303ND.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cur

 6.2. Size:177K  nxp
 pbss303px.pdf pdf_icon

PBSS303PZ

PBSS303PX30 V, 5.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS303NX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa

 7.1. Size:175K  nxp
 pbss303nd.pdf pdf_icon

PBSS303PZ

PBSS303ND60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 14 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS303PD.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector curr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PBSS302PD , PBSS302PX , PBSS302PZ , PBSS303ND , PBSS303NX , PBSS303NZ , PBSS303PD , PBSS303PX , 2222A , PBSS304ND , PBSS304NX , PBSS304NZ , PBSS304PD , PBSS304PX , PBSS304PZ , PBSS305ND , PBSS305NX .

 

 
Back to Top

 


 
.