Справочник транзисторов. PBSS304ND

 

Биполярный транзистор PBSS304ND Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS304ND
   Маркировка: AF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 240
   Корпус транзистора: SOT457 SC74
 

 Аналог (замена) для PBSS304ND

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS304ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  philips
pbss304nd.pdfpdf_icon

PBSS304ND

PBSS304ND80 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 17 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS304PD.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector curr

 ..2. Size:158K  nxp
pbss304nd.pdfpdf_icon

PBSS304ND

PBSS304ND80 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 17 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS304PD.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector curr

 6.1. Size:199K  nxp
pbss304nx.pdfpdf_icon

PBSS304ND

PBSS304NX60 V, 4.7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS304PX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa

 6.2. Size:119K  nxp
pbss304nz.pdfpdf_icon

PBSS304ND

PBSS304NZ60 V, 5.2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 18 September 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS304PZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c

Другие транзисторы... PBSS302PX , PBSS302PZ , PBSS303ND , PBSS303NX , PBSS303NZ , PBSS303PD , PBSS303PX , PBSS303PZ , D882P , PBSS304NX , PBSS304NZ , PBSS304PD , PBSS304PX , PBSS304PZ , PBSS305ND , PBSS305NX , PBSS305NZ .

History: 2SAB25 | 2SC5101

 

 
Back to Top

 


 
.