PBSS304ND datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS304ND  📄📄 

Маркировка: AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 240

Корпус транзистора: SOT457 SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS304ND

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS304ND даташит

 ..1. Size:158K  philips
 pbss304nd.pdf pdf_icon

PBSS304ND

PBSS304ND 80 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 17 December 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS304PD. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector curr

 ..2. Size:158K  nxp
 pbss304nd.pdf pdf_icon

PBSS304ND

PBSS304ND 80 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 17 December 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS304PD. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector curr

 6.1. Size:199K  nxp
 pbss304nx.pdf pdf_icon

PBSS304ND

PBSS304NX 60 V, 4.7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 20 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS304PX. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa

 6.2. Size:119K  nxp
 pbss304nz.pdf pdf_icon

PBSS304ND

PBSS304NZ 60 V, 5.2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 18 September 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS304PZ. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS302PX, PBSS302PZ, PBSS303ND, PBSS303NX, PBSS303NZ, PBSS303PD, PBSS303PX, PBSS303PZ, 2SC2240, PBSS304NX, PBSS304NZ, PBSS304PD, PBSS304PX, PBSS304PZ, PBSS305ND, PBSS305NX, PBSS305NZ